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據悉，中國電子科技集團公司第二研究所突破了大直徑SiC生長的溫場設計，實現可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設計制造及小批量生產；還突破了高純SiC粉料中的雜質控制技術、粒度控制技術、晶型控制技術等關鍵技術，實現了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產。

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