據人民日報報道，專家稱，中國在高端光電子器件部分關鍵技術研發取得突破：“這些研發項目有很多都是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。”
4月16日，美國商務部公布，由于中興通訊違反和解協議并作出虛假陳述，將禁止美國企業與公司進行交易長達7年。中興通訊董事長殷一民表示，美國對中興實施的禁令，或將導致公司進入休克狀態。
（視覺中國）
據《人民日報》報道，十三五國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，中國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新，投入大量資金引導大專院校、科研院所和企業，鉆研對光電子芯片和模組的關鍵技術：“當前我國已掌握中低端光電子器件關鍵技術，具備生產能力，但產能不足。在高端光電子器件研發方面，一些關鍵技術取得突破性進展，研制成功的原型器件通過系統功能驗證，某些關鍵技術達到國際先進水準。”
通過國家引導、地方和企業的參與
祝寧華說，在光傳輸和交換設備中，光器件要占百分之六七十的成本比重，當前中國無論在技術積累還是資金投入，以及高端核心人才的培養和儲備，都具備一定基礎條件：“只要國家選定面向未來資訊網路急需的1—2類核心關鍵光電子芯片，集中資源，從設計、研發、器件制備到封裝測試進行綜合布局，同時通過國家引導、地方和企業的參與，構建完善的光電子芯片加工工藝平臺，相信高端芯片研發的短板能夠在5年內得到緩解。”
相關研發項目已持續10年
據知，中國于2008年實施國家科技重大項目：“極大型積體電路制造裝備及成套工藝”，官方稱經十年發展，相關工藝水平提升了5代，成功研發并實現量產55、40 、28納米三代成套工藝，于22、14納米先導技術研發取得突破，并已研制成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水準。
